در پژوهشگاه ICT صورت گرفت؛
موفقیت محققان در ساخت تقویت كننده نیمه هادی با راندمان بالا
مینی كامپیوتر: محققان پژوهشگاه ICT موفق به طراحی و ساخت تقویت كننده نیمه هادی با راندمان بالا بر اساس تكنولوژی ترانزیستورهای تطبیق نیافته شدند.
به گزارش مینی كامپیوتر به نقل از پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات، رقیه كریم زاده مجری پروژه «طراحی و ساخت تقویت كننده SSPA با راندمان بالا» در مورد این پروژه اظهار داشت: تقویت كننده های توان، مهمترین بخش مداری موجود در انواع سیستم های مخابراتی همانند تلفن های بی سیم و موبایل، تجهیزات ایستگاه زمینی، شبكه بی سیم محلی، ارتباطات نقطه به نقطه رادیویی، VSAT و... هستند. اغلب این سیستم ها احتیاج به تقویت كننده های ارزان و با قابلیت اطمینان بالا دارند. وی اظهار داشت: تقویت كننده های نیمه هادی SSPA (Solid State Power Amplifier) دسته ای از تقویت كننده های توان با تكنولوژی ساخت متفاوت، هستند كه می توانند نیازهای فنی مورد نیاز را برآورده كنند. كریم زاده با اشاره به علت انجام تحقیقات در حوزه SSPAها تصریح كرد: هم اكنون سهولت ساخت، قیمت پایین و ایمنی استفاده به علت ولتاژ پایین و جریان بالا در SSPAها، سبب شده است كه این تقویت كننده ها در سیستم های مخابراتی در باندهای فركانسی X، L و C استفاده شوند و جهت دستیابی به كارایی بالاتر و همینطور مشخصات فنی مورد نیاز در فركانس های بالاتر مورد توجه پژوهشگران قرار گیرد. مجری پروژه تقویت كننده SSPA اضافه كرد: از طرفی، دسته دیگری از تقویت كننده ها با توان خروجی و راندمان بالا وجود دارد كه به علت گران بودن و كاربردهای خاص، تهیه آن در بازار بین المللی، فرایند مخصوص به خویش را دارد. وی تصریح كرد: ازاین رو با ظهور نسل جدید ترانزیستورهای گالیوم نیتراید ( GaN ) با بازدهی بالا در باندهای فركانسی مختلف، امكان ساخت تقویت كننده های نیمه هادی با راندمان بالا عنوان شد. از مزایای این تقویت كننده ها می توان به ارزان بودن، سبك و كوچك بودن و دسترسی ساده و همینطور روند رو به بهبود مشخصات ترانزیستورهای توان اشاره نمود. كریم زاده افزود: با به كارگیری تقویت كننده های SSPA راندمان بالا در ایستگاه های زمینی، در مصرف توان صرفه جویی شده و همینطور خنك كاری سیستم بسیار آسان تر می شود. به قول مجری پروژه تقویت كننده، با عنایت به نیاز كشور و برنامه ریزی های كلان در ساخت سیستم های مخابراتی، احتیاج به بومی سازی طراحی و ساخت SSPA با راندمان بالا وجود دارد. بنابراین بر مبنای روند تكنولوژی ترانزیستورهای نیمه هادی تطبیق نیافته و نیاز كشور، پژوهشگاه ارتباطات و فناوری اطلاعات، طراحی و ساخت تقویت كننده های نیمه هادی با راندمان بالا را در دستور كار خود قرار داده است. وی هدف از این فعالیت را طراحی و ساخت تقویت كننده SSPA با راندمان بالا با بكارگیری ترانزیستورهای با تكنولوژی GaN به منظور استفاده در سیستم های مخابراتی عنوان نمود و اضافه كرد: به دنبال آن هستیم تا ضمن امكان پذیر بودن ساخت در ایران، راندمان بالایی داشته و سیگنال های ناخواسته ناشی از اینترمدولاسیون و اعوجاج در سیگنال خروجی كمی داشته باشد تا بتواند گامی به سمت رفع گلوگاه تقویت كننده توان در پروژه های كشور باشد؛ در همین راستا تقویت كننده ای در پژوهشگاه ساخته شد. كریم زاده افزود: تقویت كننده SSPA ساخته شده، با بكارگیری ترانزیستورهای GaN تطبیق نیافته دارای توان خروجی ۵۰ وات و راندمان حدود ۴۰ درصد است. همینطور به منظور خنك سازی ترانزیستورها و عملكرد مناسب SSPA، هیت سینك و فن مناسب تعبیه شده است كه امكان استفاده از هیت پایپ برای خنك سازی آن هم وجود دارد. این تكنولوژی قابل استفاده برای فرستنده های پخش همگانی، ایستگاه های زمینی و... است. این طرح در هشتمین جشنواره فاوا موفق به دریافت جایزه شد.
این مطلب را می پسندید؟
(1)
(0)
تازه ترین مطالب مرتبط
نظرات بینندگان در مورد این مطلب